哈工大在国家急需时刻从不缺席,现在国家急需光刻机。哈工大推出的DPP-EUV光源,真是史诗级成果,这是哈工大在超精密加工,超精密测量领域几十年积累的结果!
EUV光刻的全称为极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),其光源主要有2种:1、一种是DPP-EUV极紫外光源。放电激发等离子体EUV极紫外光源,荷兰ASML光刻机公司,哈工大研究的都是这一种。DPP EUV光源的优点是产生EUV的能量转换效率高,造价低;缺点是电极热负载高,产生碎片多,机制复杂,光学器件易于受损,光收集角小。2、激光等离子体光源(LPP)LPP EUV系统主要包括激光器、汇聚透镜、负载、光收集器、掩膜、投影光学系统和芯片。
这2种光源哈工大气体可调谐激光技术国家级重点实验室在15年前就研究了。哈工大取的重大突破的是:放电激发等离子体EUV极紫外光源。与荷兰ASML光刻机公司的是同一种EUV极紫外光源。如果3-5纳米光刻机两年内国产,则华为有救!哈工大功劳举世无双!
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